ECTS - University of Pisa
| Modules | Area | Type | Hours | Teacher(s) | |
| TECNOLOGIE MICROELETTRONICHE | ING-INF/01 | LEZIONI | 60 |
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Gli studenti che hanno superato il corso hanno una conoscenza generale delle tecniche utilizzate nella fabbricazione dei circuiti integrati (IC) e sono in grado di descrivere in dettaglio la sequenza di fabbricazione di un circuito CMOS. Conoscono la fisica dei processi di fabbricazione più comuni (drogaggio, deposizione di film sottili, litografia, attacco, etc.), la struttura e funzionamento delle relative apparecchiature. Conoscono la struttura, i materiali e le tecniche di realizzazione dei componenti fondamentali di circuiti e microsistemi integrati (transistori, contatti, interconnessioni, strutture micromeccaniche).
Upon successful completion of the course, the students will be able to demonstrate a general knowledge of the techniques used in the fabrication of integrated circuits (ICs) and will be able to describe a typical process sequence for CMOS fabrication. They will possess a knowledge of the physics of the most common fabrication steps (thin film deposition, UV lithography, etching, etc.), a knowledge of the structure of the relative systems, and a few of the basic characterization techniques used in the microelectronics industry.
Nell'esame finale agli studenti è richiesto di presentare, in forma chiara ed organizzata, gli aspetti fisico-chimici e tecnologici dei più importanti processi di fabbricazione di circuiti integrati e microsistemi, esponendo le opzioni disponili ad un ingegnere di processo e come le differenti scelte tecniche influenzano la realizzabilità dei dispositivi e le loro caratteristiche.
Modalità di verifica:
In the final oral exam, the student will be required to present in an organized and clear manner the physical and technical aspects of the most important fabrication steps in a microelectronics fabrication sequence, by exposing the main options available to the process engineer and how each technical choice impacts the overall structure of the final integrated circuit.
Methods:
Gli studenti che hanno superato il corso sono in grado di valutare l'impatto di ciascun passo di processo di una sequenza di fabbricazione di circuiti integrati sulle caratteristiche finali del dispositivo. Sanno confrontare le differenti opzioni tecniche disponibili per ciascun processo e valutare la più adatta in termini di complessità, compatibilità e risultati desiderati. Per ciascun passo di processo, sono in grado di prevedere come la modifica di una variabile di processo ne cambia le prestazioni. Sanno come progettare i parametri di un processo (ossidazione termica, diffusione, impiantazione ionica, etc) in modo da ottenere specifiche predeterminate (spessori, resistenze di strato, profondità di gunzione, etc.)
Upon successful completion of the course, the students are able to assess the impact of each process step of an IC fabrication process on properties of the final device. They can compare the various available technical options for each step and choose the most suitable based on their technical complexity, compatibility and desired outcomes. For each process step, they can determine the effect in the change of a process variable on the process performances. They can design the main process parameters of a process (oxidation, diffusion, ion implantation, etc.) to obtain assigned specifications (film thickness, sheet resistance, junction depth, etc.)
Le capacità acquisite vengono verificate durante l'esame orale finale (vedi anche "Modalità di verifica delle conoscenze"), anche mediante la proposta di semplici esercizi quantitativi.
Modalità di verifica:
Skills are assessed during the final oral exam (also see "Assessment criteria of knowledge"), also by proposing questions that take the form of simple quantitative exercises pertaining to the course programme.
Methods:
Elementi di fisica dei semiconduttori. Fisica dei principali dispositivi a semiconduttore: diodo pn, BJT, MOSFET, giunzione Schottky. Fondamenti di chimica organica ed inorganica.
Basics of semiconductor physics. Physics of semiconductor devices (pn diode, Schottky diode, BJT, MOSFET). Elementary inorganic and organic chemistry.
Metodo: lezioni frontali assistite da slides, esercitazioni frontali.
Attività:
La frequenza è consigliata.
Delivery: face to face, slide assisted lectures
Learning activities:
Attendance is advised.
Esame finale orale (in genere 2-3 domande, durata indicativa di 30-45 minuti). Il voto finale è basato sull’esito dell’orale (peso: 100%).
Final oral exam (typically two-three questions, lasting around 30-45 minutes). Final grade in based on the oral exam (100% of the grade).
